金光菊栽培技术_金光菊的种植技术

金光菊的栽培技术

穴盘育苗
阶段一：胚根萌发阶段
温度为20℃至22℃之间。基质中保持较低的EC值，pH值为5.8至6.2。种子萌芽需光。播种前需喷施杀真菌剂，播种后覆上一层薄薄的蛭石以保持土壤的湿润，但不能过于潮湿。避免阳光直射，应进行适当遮阴。
阶段二：子叶出现及生长阶段
温度仍保持在20℃至22℃之间。适当降低栽培介质的湿度，但仍不可太过干燥。EC值不可高于0.75，因为根系对高浓度的栽培基质敏感。此阶段可开始施肥，以50百万分比浓度至75百万分比浓度的完全平衡氮肥为宜。第一、二阶段，需14至24天时间。
阶段三：真叶生长和发育阶段
此阶段温度降低到18℃至20℃。施肥浓度可增至150百万分比浓度。
阶段四：炼苗阶段
第四阶段的温度、湿度、施肥浓度基本和第三阶段相同。第三、四阶段，大约需10至14天的时间。

移栽
移栽上盆萌芽后3至4周，可用6至8厘米的花盆进行移植；5至6周后可用10至17厘米的花盆或3至5升的容器移植上盆，两次移植对植株的品质有利。切花用的植株间距以25至30厘米×30至35厘米为宜。

基质
需排水、透气良好的栽培基质。基质中粘土含量为20%至30%，每立方米基质中施加1至1.5千克的完全平衡肥料，2千克以内的缓释肥（3至6个月）。要求基质中含有铁螯合物和微量营养元素，pH值为5.8至6.2。

光照
长日照（14至16小时）有利于花芽进行分化。保持高光照水平，有利于茎干的粗壮和植株品质的提高。冬季和早春，盆栽和切花产品都需进行补光，夜晚可中断补光。一段时间的短日照可控制植株生长。移植后2至5周置于短日照（10小时）的条件下7至10天，可促进株形紧凑。之后再转变成长日照（14至16小时）。

温度
温度生育适温为18℃至25℃。金光菊生长需温暖的气候。温度在16℃以下将延长三周以上的栽培时间，并会导致叶片变红。不耐霜冻。

施肥
肥料需肥量中等。每周施用100百万分比浓度至150百万分比浓度的氮、钾平衡肥（N：K2O比例为1：1.5），避免高铵和高氮水平。为了防止镁和铁缺乏，可分别喷施浓度为0.05%的硫化镁1至2次，及铁螯合物1至2次。

浇水
由于金光菊植株纤细，故在生长期要适当节制浇水，抑制高生长，以免倒伏。喜低湿、通风透气的栽培环境。避免过度浇水和过分干燥，过于干燥会导致叶缘坏疽。在冷室中栽培严禁从植株上方浇淋，且后期湿度不能过高，以防灰霉菌的孳生。

绑扎

当植株长到1米以上时，需及时设支架进行绑扎，避免植条被风吹折断。为了促使侧枝生长，延长花期，当第一次花谢后要及时剪去残花。

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